Formation process and lattice parameter of InAs/GaAs quantum dots: Fid-Bau Portal

Formation process and lattice parameter of InAs/GaAs quantum dots

Kim, M. D. / Lee, H. S. / Lee, J. Y. / Kim, T. W. / Yoo, K. H. / Kim, G. H.

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Titel:

Formation process and lattice parameter of InAs/GaAs quantum dots

Beteiligte:

Kim, M. D. (Autor:in) / Lee, H. S. (Autor:in) / Lee, J. Y. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in) / Yoo, K. H. (Autor:in) / Kim, G. H. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 22 ; 1767-1770

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0261-8028

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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