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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Kinetics of Si capping process of Ge/Si(0 0 1) quantum dots

    Beteiligte:

    Yam, V. (Autor:in) / Le Thanh, V. (Autor:in) / Debarre, D. (Autor:in) / Zheng, Y. (Autor:in) / Bouchier, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 143-147

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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