Optical properties of stacked Ge/Si quantum dots with different spacer thickness grown by chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Optical properties of stacked Ge/Si quantum dots with different spacer thickness grown by chemical vapor deposition

Chen, W. Y. / Chang, W. H. / Chou, A. T. / Hsu, T. M. / Chen, P. S. / Pei, Z. / Lai, L. S.

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Titel:

Optical properties of stacked Ge/Si quantum dots with different spacer thickness grown by chemical vapor deposition

Beteiligte:

Chen, W. Y. (Autor:in) / Chang, W. H. (Autor:in) / Chou, A. T. (Autor:in) / Hsu, T. M. (Autor:in) / Chen, P. S. (Autor:in) / Pei, Z. (Autor:in) / Lai, L. S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 148-151

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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