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    Titel:

    The effect of C on emitter-base design for a single-polysilicon SiGe:C HBT with an IDP emitter

    Beteiligte:

    Haralson, E. (Autor:in) / Suvar, E. (Autor:in) / Malm, G. (Autor:in) / Radamson, H. (Autor:in) / Wang, Y. B. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 330-335

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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