Characteristics of deep levels in Al-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Characteristics of deep levels in Al-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy

Oh, D. C. / Song, J. S. / Chang, J. H. / Takai, T. / Hanada, T. / Cho, M. W. / Yao, T.

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Titel:

Characteristics of deep levels in Al-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Oh, D. C. (Autor:in) / Song, J. S. (Autor:in) / Chang, J. H. (Autor:in) / Takai, T. (Autor:in) / Hanada, T. (Autor:in) / Cho, M. W. (Autor:in) / Yao, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 567-571

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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