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Molecular-dynamics analysis of interfacial diffusion between high-permittivity gate dielectrics and silicon substrates

Iwasaki, T.

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Titel:

Molecular-dynamics analysis of interfacial diffusion between high-permittivity gate dielectrics and silicon substrates

Beteiligte:

Iwasaki, T. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 19 ; 1197-1202

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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