Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers: Fid-Bau Portal

Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers

Pan, J. / Huang, B. / Zhang, X. / Yue, J. / Yu, Y. / Wei, J.

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Titel:

Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers

Beteiligte:

Pan, J. (Autor:in) / Huang, B. (Autor:in) / Zhang, X. (Autor:in) / Yue, J. (Autor:in) / Yu, Y. (Autor:in) / Wei, J. (Autor:in)

Erschienen in:

RARE METALS -BEIJING- ENGLISH EDITION ; 23 ; 64-67

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1001-0521

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 669

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