Growth and characteristics of La2O3 gate dielectric prepared by low pressure metalorganic chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Growth and characteristics of La2O3 gate dielectric prepared by low pressure metalorganic chemical vapor deposition

Cheng, J. B. / Li, A. D. / Shao, Q. Y. / Ling, H. Q. / Wu, D. / Wang, Y. / Bao, Y. J. / Wang, M. / Liu, Z. G. / Ming, N. B.

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Cheng, J. B. / Li, A. D. / Shao, Q. Y. / Ling, H. Q. / Wu, D. / Wang, Y. / Bao, Y. J. / Wang, M. / Liu, Z. G. / Ming, N. B.

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Titel:

Growth and characteristics of La2O3 gate dielectric prepared by low pressure metalorganic chemical vapor deposition

Beteiligte:

Cheng, J. B. (Autor:in) / Li, A. D. (Autor:in) / Shao, Q. Y. (Autor:in) / Ling, H. Q. (Autor:in) / Wu, D. (Autor:in) / Wang, Y. (Autor:in) / Bao, Y. J. (Autor:in) / Wang, M. (Autor:in) / Liu, Z. G. (Autor:in) / Ming, N. B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 233 ; 91-98

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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