4,340V, 40 mOmega cm^2 Normally-Off 4H-SiC VJFET: Fid-Bau Portal

4,340V, 40 mOmega cm^2 Normally-Off 4H-SiC VJFET

Zhao, J. H. / Fursin, L. / Alexandrov, P. / Li, X. / Weiner, M.

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Titel:

4,340V, 40 mOmega cm^2 Normally-Off 4H-SiC VJFET

Beteiligte:

Zhao, J. H. (Autor:in) / Fursin, L. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Weiner, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1161-1164

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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