1,530V, 17.5mOmega cm^2 Normally-Off 4H-SiC VJFET Design, Fabrication and Characterization: Fid-Bau Portal

1,530V, 17.5mOmega cm^2 Normally-Off 4H-SiC VJFET Design, Fabrication and Characterization

Fursin, L. / Li, X. / Zhao, J. H.

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Titel:

1,530V, 17.5mOmega cm^2 Normally-Off 4H-SiC VJFET Design, Fabrication and Characterization

Beteiligte:

Fursin, L. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Zhao, J. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1157-1160

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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