A 500V, Very High Current Gain (beta=1517) 4H-SiC Bipolar Darlington Transistor: Fid-Bau Portal

A 500V, Very High Current Gain (beta=1517) 4H-SiC Bipolar Darlington Transistor

Zhang, J. / Alexandrov, P. / Zhao, J. H.

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Titel:

A 500V, Very High Current Gain (beta=1517) 4H-SiC Bipolar Darlington Transistor

Beteiligte:

Zhang, J. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Zhao, J. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1165-1168

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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