930, 170Omega.cm^2 Lateral Two-Zone RESURF MOSFETs in 4H-SiC with NO Annealing: Fid-Bau Portal

930, 170Omega.cm^2 Lateral Two-Zone RESURF MOSFETs in 4H-SiC with NO Annealing

Wang, W. / Banerjee, S. / Chow, T. P. / Gutmann, R. J.

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Titel:

930, 170Omega.cm^2 Lateral Two-Zone RESURF MOSFETs in 4H-SiC with NO Annealing

Beteiligte:

Wang, W. (Autor:in) / Banerjee, S. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Gutmann, R. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1413-1416

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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