Annealing Behaviour of Vacancy-and Antisite-Related Defects in Electron-Irradiated 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Annealing Behaviour of Vacancy-and Antisite-Related Defects in Electron-Irradiated 4H-SiC

Zolnai, Z. / Son, N. T. / Magnusson, B. / Hallin, C. / Janzen, E.

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Titel:

Annealing Behaviour of Vacancy-and Antisite-Related Defects in Electron-Irradiated 4H-SiC

Beteiligte:

Zolnai, Z. (Autor:in) / Son, N. T. (Autor:in) / Magnusson, B. (Autor:in) / Hallin, C. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 473-476

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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