Vacancy-related defects in ion implanted and electron irradiated silicon: Fid-Bau Portal

Vacancy-related defects in ion implanted and electron irradiated silicon

Peaker, A.R. / Evans-Freeman, J.H. / Kan, P.Y.Y. / Hawkins, I.D. / Terry, J. / Jeynes, C. / Rubaldo, L.

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Titel:

Vacancy-related defects in ion implanted and electron irradiated silicon

Beteiligte:

Peaker, A.R. (Autor:in) / Evans-Freeman, J.H. (Autor:in) / Kan, P.Y.Y. (Autor:in) / Hawkins, I.D. (Autor:in) / Terry, J. (Autor:in) / Jeynes, C. (Autor:in) / Rubaldo, L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 71 ; 143 - 147

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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