Deep UV Excitation Raman Spectroscopy of Homoepitaxial 4H-SiC Films Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Deep UV Excitation Raman Spectroscopy of Homoepitaxial 4H-SiC Films Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Okamoto, M. / Kosugi, R. / Nakashima, S. / Fukuda, K. / Arai, K.

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Titel:

Deep UV Excitation Raman Spectroscopy of Homoepitaxial 4H-SiC Films Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Okamoto, M. (Autor:in) / Kosugi, R. (Autor:in) / Nakashima, S. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 629-632

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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