Photoluminescence studies in highly Te-doped Ga1-xInxAsySb1-y epitaxial layers grown on GaSb by liquid phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Photoluminescence studies in highly Te-doped Ga1-xInxAsySb1-y epitaxial layers grown on GaSb by liquid phase epitaxy

Diaz-Reyes, J. / Herrera-Perez, J. L. / Gomez-Herrera, M. L. / Cardona-Bedoya, J. A. / Mendoza-Alvarez, J. G.

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Titel:

Photoluminescence studies in highly Te-doped Ga1-xInxAsySb1-y epitaxial layers grown on GaSb by liquid phase epitaxy

Beteiligte:

Diaz-Reyes, J. (Autor:in) / Herrera-Perez, J. L. (Autor:in) / Gomez-Herrera, M. L. (Autor:in) / Cardona-Bedoya, J. A. (Autor:in) / Mendoza-Alvarez, J. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 238 ; 400-404

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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