Arsenic diffusion in Si and strained SixGe1-x alloys at 1000 degreeC: Fid-Bau Portal

Arsenic diffusion in Si and strained SixGe1-x alloys at 1000 degreeC

Uppal, S. / Bonar, J. M. / Zhang, J. / Willoughby, A. F.

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Titel:

Arsenic diffusion in Si and strained SixGe1-x alloys at 1000 degreeC

Beteiligte:

Uppal, S. (Autor:in) / Bonar, J. M. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Willoughby, A. F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 349-351

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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