Homogeneity of Ge~1~-~xSi~x alloys (x<or=0.30) grown by the travelling solvent method: Fid-Bau Portal

Homogeneity of Ge~1~-~xSi~x alloys (x

Labrie, D. / George, A. E. / Jamieson, M. / Obruchkov, S. / Healey, J. P. / Paton, B. E. / Saghir, M. Z.

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Titel:

Homogeneity of Ge~1~-~xSi~x alloys (x

Beteiligte:

Labrie, D. (Autor:in) / George, A. E. (Autor:in) / Jamieson, M. (Autor:in) / Obruchkov, S. (Autor:in) / Healey, J. P. (Autor:in) / Paton, B. E. (Autor:in) / Saghir, M. Z. (Autor:in) / Dost, S.

Erschienen in:

SPECIAL ISSUE: CRYSTAL GROWTH OF SEMICONDUCTORS FROM THE LIQUID PHASE ; 105-121

INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS AND PRODUCT TECHNOLOGY ; 22

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

17 pages

ISSN:

0268-1900

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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