Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy

Nikiforov, A. I. / Ulyanov, V. V. / Pchelyakov, O. P. / Teys, S. A. / Gutakovsky, A. K.

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Titel:

Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Nikiforov, A. I. (Autor:in) / Ulyanov, V. V. (Autor:in) / Pchelyakov, O. P. (Autor:in) / Teys, S. A. (Autor:in) / Gutakovsky, A. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 47-50

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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