CVD Growth and Characterization of 4H-SiC Epitaxial Film on (1120) As-Cut Substrates: Fid-Bau Portal

CVD Growth and Characterization of 4H-SiC Epitaxial Film on (1120) As-Cut Substrates

Zhang, Z. / Gao, Y. / Arjunan, A. C. / Toupitsyn, E. Y. / Sadagopan, P. / Kennedy, R. / Sudarshan, T. S.

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Titel:

CVD Growth and Characterization of 4H-SiC Epitaxial Film on (1120) As-Cut Substrates

Beteiligte:

Zhang, Z. (Autor:in) / Gao, Y. (Autor:in) / Arjunan, A. C. (Autor:in) / Toupitsyn, E. Y. (Autor:in) / Sadagopan, P. (Autor:in) / Kennedy, R. (Autor:in) / Sudarshan, T. S. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 113-116

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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