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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Epitaxial Overgrowth of 4H-SiC for Devices with p-Buried Floating Junction Structure

    Beteiligte:

    Nishio, J. (Autor:in) / Ota, C. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 147-150

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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