GaN layer structures with buried tungsten nitrides (WNx) using epitaxial lateral overgrowth via MOVPE: Fid-Bau Portal

GaN layer structures with buried tungsten nitrides (WNx) using epitaxial lateral overgrowth via MOVPE

Hiramatsu, K. / Haino, M. / Yamaguchi, M. / Miyake, H. / Motogaito, A. / Sawaki, N. / Iyechika, Y. / Maeda, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

GaN layer structures with buried tungsten nitrides (WNx) using epitaxial lateral overgrowth via MOVPE

Hiramatsu, K. / Haino, M. / Yamaguchi, M. / Miyake, H. / Motogaito, A. / Sawaki, N. / Iyechika, Y. / Maeda, T.

GaN layer structures with buried tungsten nitrides (WNx) using epitaxial lateral overgrowth via MOVPE

Hiramatsu, K. / Haino, M. / Yamaguchi, M. / Miyake, H. / Motogaito, A. / Sawaki, N. / Iyechika, Y. / Maeda, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

GaN layer structures with buried tungsten nitrides (WNx) using epitaxial lateral overgrowth via MOVPE

Beteiligte:

Hiramatsu, K. (Autor:in) / Haino, M. (Autor:in) / Yamaguchi, M. (Autor:in) / Miyake, H. (Autor:in) / Motogaito, A. (Autor:in) / Sawaki, N. (Autor:in) / Iyechika, Y. (Autor:in) / Maeda, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 82 ; 62 - 64

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Dobosz, D. / Zytkiewicz, Z.R. | British Library Online Contents | 2005

Epitaxial lateral overgrowth of semiconductor structures by liquid phase epitaxy

Dobosz, D. / Zytkiewicz, Z. R. | British Library Online Contents | 2005

Comparison of Different Epitaxial Lateral Overgrowth GaN Structures using SiO~2 and Tungsten Mask by Cathodoluminescence Microscopy and Micro-Raman Spectroscopy

Bertram, F. / Riemann, T. / Rudloff, D. et al. | British Library Online Contents | 2000

Epitaxial Overgrowth of 4H-SiC for Devices with p-Buried Floating Junction Structure

Nishio, J. / Ota, C. / Shinohe, T. et al. | British Library Online Contents | 2005

Dislocations formed under longitudinal stress field in epitaxial-lateral-overgrowth GaN

Cai, D. / Kang, J. / Ito, S. | British Library Online Contents | 2006

Nach oben