Drift-Free, 50 A, 10 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Device Yields: Fid-Bau Portal

Drift-Free, 50 A, 10 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Device Yields

Das, M. K. / Sumakeris, J. J. / Hull, B. A. / Richmond, J. / Krishnaswami, S. / Powell, A. R.

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Titel:

Drift-Free, 50 A, 10 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Device Yields

Beteiligte:

Das, M. K. (Autor:in) / Sumakeris, J. J. (Autor:in) / Hull, B. A. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Krishnaswami, S. (Autor:in) / Powell, A. R. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 965-968

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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