Wannier-Stark Localization Effects in 6H-SiC JFETs: Fid-Bau Portal

Wannier-Stark Localization Effects in 6H-SiC JFETs

Sankin, V. I. / Shkrebiy, P. P. / Lebedev, A. A.

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Titel:

Wannier-Stark Localization Effects in 6H-SiC JFETs

Beteiligte:

Sankin, V. I. (Autor:in) / Shkrebiy, P. P. (Autor:in) / Lebedev, A. A. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 873-876

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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