1000 V, 30 A SiC Bipolar Junction Transistors and Integrated Darlington Pairs: Fid-Bau Portal

1000 V, 30 A SiC Bipolar Junction Transistors and Integrated Darlington Pairs

Krishnaswami, S. / Agarwal, A. / Capell, C. / Richmond, J. / Ryu, S. H. / Palmour, J. / Balachandran, S. / Chow, T. P. / Bayne, S. / Geil, B.

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Titel:

1000 V, 30 A SiC Bipolar Junction Transistors and Integrated Darlington Pairs

Beteiligte:

Krishnaswami, S. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Capell, C. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Ryu, S. H. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Balachandran, S. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Bayne, S. (Autor:in) / Geil, B. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 901-904

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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