10 kV, 10 A Bipolar Junction Transistors and Darlington Transistors on 4H-SiC: Fid-Bau Portal

10 kV, 10 A Bipolar Junction Transistors and Darlington Transistors on 4H-SiC

Zhang, Q.C. / Callanan, R. / Agarwal, A. / Burk, A.A. / O Loughlin, M.J. / Palmour, J. / Scozzie, C.

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Titel:

10 kV, 10 A Bipolar Junction Transistors and Darlington Transistors on 4H-SiC

Beteiligte:

Zhang, Q.C. (Autor:in) / Callanan, R. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Burk, A.A. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Scozzie, C. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 1025-1028

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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