Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure: Fid-Bau Portal

Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure

Di, Z. / Zhang, M. / Liu, W. / Zhu, M. / Lin, C. / Chu, P. K.

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Titel:

Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure

Beteiligte:

Di, Z. (Autor:in) / Zhang, M. (Autor:in) / Liu, W. (Autor:in) / Zhu, M. (Autor:in) / Lin, C. (Autor:in) / Chu, P. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 153-157

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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