Physically based modeling of dislocation loops in ion implantation processing in silicon: Fid-Bau Portal

Physically based modeling of dislocation loops in ion implantation processing in silicon

Castrillo, P. / Martin-Bragado, I. / Pinacho, R. / Jaraiz, M. / Rubio, J. E. / Mok, K. R. / Miguel-Herrero, F. J. / Barbolla, J.

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Titel:

Physically based modeling of dislocation loops in ion implantation processing in silicon

Beteiligte:

Castrillo, P. (Autor:in) / Martin-Bragado, I. (Autor:in) / Pinacho, R. (Autor:in) / Jaraiz, M. (Autor:in) / Rubio, J. E. (Autor:in) / Mok, K. R. (Autor:in) / Miguel-Herrero, F. J. (Autor:in) / Barbolla, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 404-408

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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