Ge self-assembled islands grown on SiGe/Si(001) relaxed buffer layers: Fid-Bau Portal

Ge self-assembled islands grown on SiGe/Si(001) relaxed buffer layers

Shaleev, M. V. / Novikov, A. V. / Kuznetsov, O. A. / Yablonsky, A. N. / Vostokov, N. V. / Drozdov, Y. N. / Lobanov, D. N. / Krasilnik, Z. F.

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Shaleev, M. V. / Novikov, A. V. / Kuznetsov, O. A. / Yablonsky, A. N. / Vostokov, N. V. / Drozdov, Y. N. / Lobanov, D. N. / Krasilnik, Z. F.

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Shaleev, M. V. / Novikov, A. V. / Kuznetsov, O. A. / Yablonsky, A. N. / Vostokov, N. V. / Drozdov, Y. N. / Lobanov, D. N. / Krasilnik, Z. F.

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Titel:

Ge self-assembled islands grown on SiGe/Si(001) relaxed buffer layers

Beteiligte:

Shaleev, M. V. (Autor:in) / Novikov, A. V. (Autor:in) / Kuznetsov, O. A. (Autor:in) / Yablonsky, A. N. (Autor:in) / Vostokov, N. V. (Autor:in) / Drozdov, Y. N. (Autor:in) / Lobanov, D. N. (Autor:in) / Krasilnik, Z. F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 466-469

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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