Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects: Fid-Bau Portal

Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects

Duguay, S. / Slaoui, A. / Grob, J. J. / Kanoun, M. / Burignat, S. / Souifi, A.

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Titel:

Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects

Beteiligte:

Duguay, S. (Autor:in) / Slaoui, A. (Autor:in) / Grob, J. J. (Autor:in) / Kanoun, M. (Autor:in) / Burignat, S. (Autor:in) / Souifi, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 488-493

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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