Study of the unipolar bias recharging phenomenon in the nonvolatile memory cells containing silicon nanodots: Fid-Bau Portal

Study of the unipolar bias recharging phenomenon in the nonvolatile memory cells containing silicon nanodots

Turchanikov, V. I. / Nazarov, A. N. / Lysenko, V. S. / Winkler, O. / Spangenberg, B. / Kurz, H.

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Titel:

Study of the unipolar bias recharging phenomenon in the nonvolatile memory cells containing silicon nanodots

Beteiligte:

Turchanikov, V. I. (Autor:in) / Nazarov, A. N. (Autor:in) / Lysenko, V. S. (Autor:in) / Winkler, O. (Autor:in) / Spangenberg, B. (Autor:in) / Kurz, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 517-520

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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