Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO2 matrix for non volatile memory applications: Fid-Bau Portal

Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO2 matrix for non volatile memory applications

Kanoun, M. / Baron, T. / Gautier, E. / Souifi, A.

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Titel:

Charging effects in Ge nanocrystals embedded in SiO2 matrix for non volatile memory applications

Beteiligte:

Kanoun, M. (Autor:in) / Baron, T. (Autor:in) / Gautier, E. (Autor:in) / Souifi, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 26 ; 360-363

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0928-4931

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 660

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