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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Ab initio simulation of Si-doped GaAs(110) cross-sectional surfaces

    Beteiligte:

    Duan, X. (Autor:in) / Peressi, M. (Autor:in) / Baroni, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 26 ; 756-759

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0928-4931

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1 / 660

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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