Defects in Ge-doped Cz-Si annealed under high stress: Fid-Bau Portal

Defects in Ge-doped Cz-Si annealed under high stress

Misiuk, A. / Yang, D. / Surma, B. / Londos, C. A. / Bak-Misiuk, J. / Andrianakis, A.

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Titel:

Defects in Ge-doped Cz-Si annealed under high stress

Beteiligte:

Misiuk, A. (Autor:in) / Yang, D. (Autor:in) / Surma, B. (Autor:in) / Londos, C. A. (Autor:in) / Bak-Misiuk, J. (Autor:in) / Andrianakis, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 82-87

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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