Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping: Fid-Bau Portal

Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping

Huang, X. / Wu, K. / Chen, M. / Toshinori, T. / Hoshikawa, K. / Koh, S. / Uda, S.

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Titel:

Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping

Beteiligte:

Huang, X. (Autor:in) / Wu, K. (Autor:in) / Chen, M. (Autor:in) / Toshinori, T. (Autor:in) / Hoshikawa, K. (Autor:in) / Koh, S. (Autor:in) / Uda, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 257-260

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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