Dependence of the microstructural and the optical properties on the GaAs spacer thickness in InAs/GaAs double quantum dots grown by using the Indium-flush procedure: Fid-Bau Portal

Dependence of the microstructural and the optical properties on the GaAs spacer thickness in InAs/GaAs double quantum dots grown by using the Indium-flush procedure

Jung, I. Y. / Park, Y. M. / Park, Y. J. / Lee, J. I. / Kim, T. W.

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Titel:

Dependence of the microstructural and the optical properties on the GaAs spacer thickness in InAs/GaAs double quantum dots grown by using the Indium-flush procedure

Beteiligte:

Jung, I. Y. (Autor:in) / Park, Y. M. (Autor:in) / Park, Y. J. (Autor:in) / Lee, J. I. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 41 ; 5036-5039

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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