Copper diffusion in Ti-Si-N layers formed by inductively coupled plasma implantation: Fid-Bau Portal

Copper diffusion in Ti-Si-N layers formed by inductively coupled plasma implantation

Ee, Y. C. / Chen, Z. / Law, S. B. / Xu, S. / Yakovlev, N. L. / Lai, M. Y.

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Titel:

Copper diffusion in Ti-Si-N layers formed by inductively coupled plasma implantation

Beteiligte:

Ee, Y. C. (Autor:in) / Chen, Z. (Autor:in) / Law, S. B. (Autor:in) / Xu, S. (Autor:in) / Yakovlev, N. L. (Autor:in) / Lai, M. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 530-534

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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