Carrier mobility and strain effect in heavily doped p-type Si: Fid-Bau Portal

Carrier mobility and strain effect in heavily doped p-type Si

Romano, L. / De Bastiani, R. / Miccoli, C. / Bisognin, G. / Napolitani, E. / De Salvador, D. / Grimaldi, M. G.

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Titel:

Carrier mobility and strain effect in heavily doped p-type Si

Beteiligte:

Romano, L. (Autor:in) / De Bastiani, R. (Autor:in) / Miccoli, C. (Autor:in) / Bisognin, G. (Autor:in) / Napolitani, E. (Autor:in) / De Salvador, D. (Autor:in) / Grimaldi, M. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 135 ; 220-223

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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