Formation and Properties of Schottky Diodes on 4H-SiC after High Temperature Annealing with Graphite Encapsulation: Fid-Bau Portal

Formation and Properties of Schottky Diodes on 4H-SiC after High Temperature Annealing with Graphite Encapsulation

Wang, Y. / Mikhov, M. K. / Skromme, B. J.

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Titel:

Formation and Properties of Schottky Diodes on 4H-SiC after High Temperature Annealing with Graphite Encapsulation

Beteiligte:

Wang, Y. (Autor:in) / Mikhov, M. K. (Autor:in) / Skromme, B. J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 915-918

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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