First Demonstration of 2.1 kW Output Power at 425 MHz Using 4H-SiC RF Power BJTs: Fid-Bau Portal

First Demonstration of 2.1 kW Output Power at 425 MHz Using 4H-SiC RF Power BJTs

Agarwal, A. K. / Husna, F. / Haley, J. / Bartlow, H. / McCalpin, B. / Krishnaswami, S. / Capell, C. / Ryu, S. H. / Palmour, J. W.

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Agarwal, A. K. / Husna, F. / Haley, J. / Bartlow, H. / McCalpin, B. / Krishnaswami, S. / Capell, C. / Ryu, S. H. / Palmour, J. W.

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Titel:

First Demonstration of 2.1 kW Output Power at 425 MHz Using 4H-SiC RF Power BJTs

Beteiligte:

Agarwal, A. K. (Autor:in) / Husna, F. (Autor:in) / Haley, J. (Autor:in) / Bartlow, H. (Autor:in) / McCalpin, B. (Autor:in) / Krishnaswami, S. (Autor:in) / Capell, C. (Autor:in) / Ryu, S. H. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in) / Devaty, R. P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1413-1416

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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