Quantitative Mobility Spectrum Analysis of AlGaN/GaN Heterostructures Using Variable-Field Hall Measurements: Fid-Bau Portal

Quantitative Mobility Spectrum Analysis of AlGaN/GaN Heterostructures Using Variable-Field Hall Measurements

Biyikli, N. / Litton, C. W. / Xie, J. / Moon, Y. T. / Yun, F. / Stefanita, C. G. / Bandyopadhyay, S. / Meyer, J. R. / Morkoc, H.

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Titel:

Quantitative Mobility Spectrum Analysis of AlGaN/GaN Heterostructures Using Variable-Field Hall Measurements

Beteiligte:

Biyikli, N. (Autor:in) / Litton, C. W. (Autor:in) / Xie, J. (Autor:in) / Moon, Y. T. (Autor:in) / Yun, F. (Autor:in) / Stefanita, C. G. (Autor:in) / Bandyopadhyay, S. (Autor:in) / Meyer, J. R. (Autor:in) / Morkoc, H. (Autor:in) / Devaty, R. P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1533-1536

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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