Deep Level Defects Related to Carbon Displacements in n- and p-Type 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Deep Level Defects Related to Carbon Displacements in n- and p-Type 4H-SiC

Storasta, L. / Kamata, I. / Nakamura, T. / Tsuchida, H.

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Titel:

Deep Level Defects Related to Carbon Displacements in n- and p-Type 4H-SiC

Beteiligte:

Storasta, L. (Autor:in) / Kamata, I. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in) / Tsuchida, H. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 489-492

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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