Divacancy Model for P6/P7 Centers in 4H- and 6H-SiC: Fid-Bau Portal

Divacancy Model for P6/P7 Centers in 4H- and 6H-SiC

Son, N. T. / Umeda, T. / Isoya, J. / Gali, A. / Bockstedte, M. / Magnusson, B. / Ellison, A. / Morishita, N. / Ohshima, T. / Itoh, H.

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Titel:

Divacancy Model for P6/P7 Centers in 4H- and 6H-SiC

Beteiligte:

Son, N. T. (Autor:in) / Umeda, T. (Autor:in) / Isoya, J. (Autor:in) / Gali, A. (Autor:in) / Bockstedte, M. (Autor:in) / Magnusson, B. (Autor:in) / Ellison, A. (Autor:in) / Morishita, N. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 527-530

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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