Divacancy-related complexes in Si(1-x)Ge(x): Fid-Bau Portal

Divacancy-related complexes in Si(1-x)Ge(x)

Khirunenko, L. I. / Pomozov, Y. V. / Sosnin, M. G. / Trypachko, M. O. / Duvanskii, A. V. / Abrosimov, N. V. / Riemann, H. / Lastovskii, S. B. / Murin, L. I. / Markevich, V. P.

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Titel:

Divacancy-related complexes in Si(1-x)Ge(x)

Beteiligte:

Khirunenko, L. I. (Autor:in) / Pomozov, Y. V. (Autor:in) / Sosnin, M. G. (Autor:in) / Trypachko, M. O. (Autor:in) / Duvanskii, A. V. (Autor:in) / Abrosimov, N. V. (Autor:in) / Riemann, H. (Autor:in) / Lastovskii, S. B. (Autor:in) / Murin, L. I. (Autor:in) / Markevich, V. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 525-530

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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