Electrical Properties of Undoped 6H- and 4H-SiC Bulk Crystals Grown by Halide Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Electrical Properties of Undoped 6H- and 4H-SiC Bulk Crystals Grown by Halide Chemical Vapor Deposition

Chung, H. J. / Huh, S. W. / Polyakov, A. Y. / Nigam, N. / Li, Q. / Grim, J. / Skowronski, M. / Glaser, E. R. / Carlos, W. E. / Freitas, J. A.

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Chung, H. J. / Huh, S. W. / Polyakov, A. Y. / Nigam, N. / Li, Q. / Grim, J. / Skowronski, M. / Glaser, E. R. / Carlos, W. E. / Freitas, J. A.

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Chung, H. J. / Huh, S. W. / Polyakov, A. Y. / Nigam, N. / Li, Q. / Grim, J. / Skowronski, M. / Glaser, E. R. / Carlos, W. E. / Freitas, J. A.

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Titel:

Electrical Properties of Undoped 6H- and 4H-SiC Bulk Crystals Grown by Halide Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Chung, H. J. (Autor:in) / Huh, S. W. (Autor:in) / Polyakov, A. Y. (Autor:in) / Nigam, N. (Autor:in) / Li, Q. (Autor:in) / Grim, J. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Glaser, E. R. (Autor:in) / Carlos, W. E. (Autor:in) / Freitas, J. A. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 625-628

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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