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Vacancy-dioxygen centers in Si-rich SiGe alloys

Khirunenko, L. I. / Pomozov, Y. V. / Sosnin, M. G. / Trypachko, M. O. / Torres, V. J. / Coutinho, J. / Jones, R. / Briddon, P. R. / Abrosimov, N. V. / Riemann, H.

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Titel:

Vacancy-dioxygen centers in Si-rich SiGe alloys

Beteiligte:

Khirunenko, L. I. (Autor:in) / Pomozov, Y. V. (Autor:in) / Sosnin, M. G. (Autor:in) / Trypachko, M. O. (Autor:in) / Torres, V. J. (Autor:in) / Coutinho, J. (Autor:in) / Jones, R. (Autor:in) / Briddon, P. R. (Autor:in) / Abrosimov, N. V. (Autor:in) / Riemann, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 520-524

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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