Investigation of InGaN/GaN light emitting diodes with nano-roughened surface by excimer laser etching method: Fid-Bau Portal

Investigation of InGaN/GaN light emitting diodes with nano-roughened surface by excimer laser etching method

Huang, H. W. / Kao, C. C. / Chu, J. T. / Wang, W. C. / Lu, T. C. / Kuo, H. C. / Wang, S. C. / Yu, C. C. / Kuo, S. Y.

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Titel:

Investigation of InGaN/GaN light emitting diodes with nano-roughened surface by excimer laser etching method

Beteiligte:

Huang, H. W. (Autor:in) / Kao, C. C. (Autor:in) / Chu, J. T. (Autor:in) / Wang, W. C. (Autor:in) / Lu, T. C. (Autor:in) / Kuo, H. C. (Autor:in) / Wang, S. C. (Autor:in) / Yu, C. C. (Autor:in) / Kuo, S. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 136 ; 182-186

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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