Built-in electric field effect on hydrogenic impurity in wurtzite GaN/AlGaN quantum dot: Fid-Bau Portal

Built-in electric field effect on hydrogenic impurity in wurtzite GaN/AlGaN quantum dot

Xia, C. X. / Wei, S. Y. / Zhao, X.

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Titel:

Built-in electric field effect on hydrogenic impurity in wurtzite GaN/AlGaN quantum dot

Beteiligte:

Xia, C. X. (Autor:in) / Wei, S. Y. (Autor:in) / Zhao, X. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 5345-5348

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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