Nitridation of the SiO2/4H-SiC interface studied by surface-enhanced Raman spectroscopy: Fid-Bau Portal

Nitridation of the SiO2/4H-SiC interface studied by surface-enhanced Raman spectroscopy

Choi, S. H. / Wang, D. / Williams, J. R. / Park, M. / Lu, W. / Dhar, S. / Feldman, L. C.

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Titel:

Nitridation of the SiO2/4H-SiC interface studied by surface-enhanced Raman spectroscopy

Beteiligte:

Choi, S. H. (Autor:in) / Wang, D. (Autor:in) / Williams, J. R. (Autor:in) / Park, M. (Autor:in) / Lu, W. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in) / Feldman, L. C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 5411-5414

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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