Nitridation of epitaxially grown 6.1 A semiconductors studied by X-ray photoelectron spectroscopy: Fid-Bau Portal

Nitridation of epitaxially grown 6.1 A semiconductors studied by X-ray photoelectron spectroscopy

Preisler, E. J. / Strittmatter, R. P. / McGill, T. C. / Hill, C. J.

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Titel:

Nitridation of epitaxially grown 6.1 A semiconductors studied by X-ray photoelectron spectroscopy

Beteiligte:

Preisler, E. J. (Autor:in) / Strittmatter, R. P. (Autor:in) / McGill, T. C. (Autor:in) / Hill, C. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 222 ; 6-12

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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